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P6 SiC MOSFET功率模塊，電壓等級涵蓋1200V和750V兩種類型，1200V模塊RDS(on)包含有2.9mΩ，2.2mΩ，750V模塊RDS(on)包含有1.7mΩ，1.3mΩ；內(nèi)部采用多SiC芯片并聯(lián)設(shè)計，通過串聯(lián)門極電阻保證芯片均流；模塊采用低電感設(shè)計避免了振蕩，1200V輸出電流為480-640A，750V輸出電流為485-630A；SiC芯片采用雙面銀漿燒結(jié)和銅線鍵合工藝，Si3N4的AMB散熱絕緣基板和PINFIN散熱基板保證良好的散熱能力；模塊通過175℃ AQG-324可靠性認(rèn)證，可長期工作在175℃結(jié)溫環(huán)境。